图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SPP,SPI11N60S5 |
| 文档 |
Multiple Devices 18/Nov/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品培训模块 | |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5.5V @ 500µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 54nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1460pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5.5V @ 500µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1460pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 54nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 系列 | xPI11N60 |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 380 mOhms |
| 功率耗散 | 125 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 零件号别名 | SPI11N60S5HKSA1 |
| 上升时间 | 35 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 宽度 | 4.5 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | CoolMOS |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| 长度 | 10.2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 9.45 mm |
| 典型导通延迟时间 | 130 ns |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| 技术 | GaN |
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